RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
71
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
71
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1768
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link