RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2553
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link