RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3137
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link