RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2804
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link