RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
51
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
41
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3114
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link