RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
51
Около -168% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3165
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link