RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3340
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
OCZ OCZ2G9001G 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link