RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3461
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link