RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3529
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link