RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3637
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link