RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3637
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link