RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3061
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link