RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3925
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link