RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3414
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link