RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3437
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link