RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2723
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link