RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2935
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link