RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3122
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link