RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3386
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link