RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2353
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation M424016 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link