RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
51
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
44
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2803
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link