RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2689
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link