RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
73
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
73
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1736
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link