RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3013
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link