RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2897
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link