RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
51
Около -31% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
12.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2423
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link