RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
67
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
67
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1876
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link