RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3010
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link