RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3337
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link