RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2920
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link