RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2918
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link