RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2918
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link