RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3717
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link