RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4173
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link