RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3672
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link