RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3580
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link