RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3399
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link