RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3158
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link