RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3767
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link