RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3767
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link