RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4029
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link