RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3653
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link