RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2951
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link