RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
52
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
52
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2169
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link