RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
51
Около -24% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
41
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2044
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link