RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2892
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link