RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston 9905624-019.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2350
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link