RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston 9905700-097.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
51
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2324
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link