Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston 9965589-031.D01G 2GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Причины выбрать
Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 51

Около -9% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston 9965589-031.D01G 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 47
Скорость чтения, Гб/сек

15.6 10.9
Скорость записи, Гб/сек

11.8 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2687 2211

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB

EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM