RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3323
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link