RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2452
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link