RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
51
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
37
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2592
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link