RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около -34% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2148
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link